Flexible Substrate Structure, Flexible Transistor and Method for Fabricating the Same可撓式基板結構、可撓式電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

15/905,729

專利證號

US 10,600,915

專利獲證名稱

Flexible Substrate Structure, Flexible Transistor and Method for Fabricating the Same可撓式基板結構、可撓式電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2020/03/24

技術說明

本發明為提供一種可撓式基板結構，包含：軟性基板；第一介電層，位於所述軟性基板上；含金屬層，具有反射率大於15%，以及熱導係數大於2瓦/(米．克耳文)(W/m．K)；以及第二介電層，其中所述含金屬層設置於所述第一介電層與所述第二介電層之間。本發明還同時提供一種包含上述可撓式基板結構的可撓式電晶體，以及可撓式電晶體的製造方法。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址