複合材料及其製造方法COMPOSITE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102102721

專利證號

I 487177

專利獲證名稱

複合材料及其製造方法COMPOSITE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2015/06/01

技術說明

本技術使用化學方式將矽與石墨烯表面進行改質，並利用電荷吸附法製備出均勻分散之矽/石墨烯複合材料。由於矽奈米粒子無法均勻分散於石墨烯層中，但經過化學改質處理，使矽粒子與石墨烯表面代有電荷，接著利用電荷吸附形成均勻分散結構。而使用簡單電荷吸附可迅速製備出不同矽比例之矽/石墨烯材料。製備出樣品可逆電容量高達1030 mAh/g，到了第150圈電容量仍可能維持於600 mAh/g，呈現較佳的循環穩定性。與文獻上結果比較，利用簡單的電荷吸附法，不需將矽粒子與石墨烯做共價鍵結，即可將矽粒子均勻吸附於石墨烯層中，且避免石墨烯重新堆疊與矽粒子聚集問題，可有效改善其電容量與充放電穩定性。 This technology uses chemical methods to silicon and graphene surface modification, and were prepared using the charge uniformly dispersed adsorption of Si / graphene composite material. Since silicon nanoparticles not uniformly dispersed in the graphene layer, but it has been chemically modified processing, the silicon particles and a charge on behalf of the graphene surface, followed by adsorption using the charge to form a uniform dispersion structure. The use of simple adsorption can be quickly prepared charge different proportions of silicon Si / graphene materials. Samples were prepared reversible capacity of up to 1030 mAh / g, to the first 150 laps capacity may still be maintained at 600 mAh / g, showing better cycle stability.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

02-2733-3141#7346

網址