具高崩潰電壓的半導體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101109065

專利證號

I 452676

專利獲證名稱

具高崩潰電壓的半導體元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2014/09/11

技術說明

一種具高崩潰電壓的半導體元件，包含有一基底、一緩衝層、一半導體複合層以及一偏壓電極。該緩衝層設於該基底上，並包含一第一高刃差排缺陷密度區域；該半導體複合層設於該緩衝層上，並包含一受該第一高刃差排缺陷密度區域影響而形成的第二高刃差排缺陷密度區域；而該偏壓電極設於該半導體複合層上。據此，該第二高刃差排缺陷密度區域形成一由缺陷能階捕捉電子的虛閘極效應而供該半導體複合層形成一從該偏壓電極擴張的延伸空乏區，於該偏壓電極受一逆向偏壓時，降低該半導體元件所產生的漏電流，並增加該半導體元件的崩潰電壓。 A semiconductor element having a high breakdown voltage includes a substrate, a buffer layer, a semiconductor composite layer and a bias electrode. The buffer layer disposed on the substrate includes a high edge dislocation defect density area. The semiconductor composite layer disposed on the buffer layer includes a second high edge dislocation defect density area formed due to the first high edge dislocation defect density area. The bias electrode is disposed on the semiconductor composite layer. A virtual gate effect of defect energy level capturing electrons is generated due to the first and second high edge dislocation defect density areas, such that an extended depletion region expanded from the bias electrode is formed at the semiconductor composite layer. When the bias electrode receives a reverse bias, the extended depletion region reduces a leakage current and increases the breakdown voltage of the semiconductor element.

備註

本部(收文號1060048584)同意該校106年7月13日中大研字第1061430172號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

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