用以控制晶片溫度的系統及方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098113246

專利證號

I 368839

專利獲證名稱

用以控制晶片溫度的系統及方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2012/07/21

技術說明

1. 一種利用動態調整供給電壓與時脈頻率，來動態管理晶片溫度的方法，其中該方法包含： (1).震盪環設計之溫度感測器； (2).根據電路中模組的分佈，將溫度感測器擺置於模組上，以偵測模組溫度； (3).根據溫度感測器測得之溫度，動態調整供給電壓與時脈頻率。 2. 如申請專利範圍第1項所述之動態溫度管理方法，其中震盪環為基礎的溫度感測器係根據震盪環中溫度與頻率的線性關係。 3. 如申請專利範圍第2項所述之震盪環為基礎的溫度感測器，其中該設計包含： (1).一由反向器組成之震盪環； (2).一計數器紀錄震盪環頻率； (3).一優先解碼器設計以決定晶片使用之供給電壓與時脈頻率。 4. 如申請專利範圍第3項所述之震盪環，為由反向器與NAND閘組成的震盪環。 5. 如申請專利範圍第3項所述之計數器，其輸入連接到專利範圍第3項所述之震盪環中之一連線。 6. 如申請專利範圍第3項所述之優先解碼器，其輸入為專利範圍第3項所述之計數器之最前面四位元，輸出的三位元決定使用何種供給電壓與時脈頻率。 7. 如申請專利範圍第3項所述之供給電壓與時脈頻率，其中供給電壓有三個層級，時脈頻率亦有相對應的三個層級。 8. 如申請專利範圍第7項所述之三個層級的供給電壓，其中包含高供給電壓、標準供給電壓與低供給電壓。 9. 如申請專利範圍第7項所述之三個層級的時脈頻率，其中包含高時脈頻率、標準時脈頻率與低時脈頻率。

備註

本部(收文號1040021383)同意該校104年3月27日中產營字第1040001121號函申請終止維護專利

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