使用物理性氧化物移除方式的矽太陽能電池製造方法與包含以上方法之教具

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102107271

專利證號

I 497743

專利獲證名稱

使用物理性氧化物移除方式的矽太陽能電池製造方法與包含以上方法之教具

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣海洋大學

獲證日期

2015/08/21

技術說明

本發明系一種以物理性氧化物移除方式的矽太陽能電池製造方法與包含以上太陽能電池製造方法之教具。其中，該氧化物移除方法，係利用研磨或微粒撞擊的物理力移除矽基板的多餘氧化層，再用氮氣、空氣、水或可揮發液體等流體移除殘留物，如此成就低危險性的氧化物移除方式，無需使用危險的氫氟酸。如此的氧化物移除方式可應用於太陽能電池大量生產；也可運用於太陽能電池教具，教導使用者或教學者在低危險性環境下自行製作矽太陽能電池。 The invention introduces a Si solar cell fabrication process incorporating physical removal of oxide layers and potential teaching applications therewith. The physical removal of oxide layers from a Si substrate can be realized by grinding or particle bombardment followed by fluid washing such as purging of air or nitrogen and cleaning using water or volatile liquids . In such a way, Si solar cells can be fabricated without using hazardous chemicals, such as HF. The low hazardous oxide removal method not only can employed in green mass production of solar cells, but also can apply to teaching applications allowing teachers or students to made there own solar cells.

備註

本部(收文號1090012999)同意該校109年7月9日海產技字第1090012999號函申請終止維護專利(海大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運總中心

連絡電話

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