內連線結構及其製作方法Interconnect Structure and Method of Fabricating the Same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/229,233

專利證號

US 7,858,147 B2

專利獲證名稱

內連線結構及其製作方法Interconnect Structure and Method of Fabricating the Same

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2010/12/28

技術說明

一種內連線結構，此內連線結構包括基底、介面金屬層、介電層與碳材導線或插塞結構。介面金屬層被圖形化配置於基底上，且此層內含鐵、鈷、或鎳等成長奈米碳管或奈米碳纖維所需之催化劑。介電層配置於基底上，並由絕緣非晶型碳或低介電常數碳衍生物為主要材料。而由奈米碳管或奈米碳纖維所組成之碳材導線或插塞結構配置於介電層中且與介面金屬層電性連接。 本發明並包括一種內連線的製作方法，乃經由雷射直寫照射方式將位於介面金屬層上的絕緣非晶型碳或低介電常數碳衍生材料轉換成導電性奈米碳管或奈米碳纖維，而製成一自動對準的碳材導線或插塞結構。可以增進元件效能、及提高可靠度，且具有定位及自動對準之優點，及可以簡化製程以及降低生產成本。

備註

本部(收文號1100063323)同意該校110年10月19日清智財字第1109006858號函申請終止維護專利(清大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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