於非SOI基板上製作矽波導之方法METHOD FOR PRODUCING SILICON WAVEGUDIES ON NON-SOI SUBSTRATE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/458,900

專利證號

US 8,889,017 B2

專利獲證名稱

於非SOI基板上製作矽波導之方法METHOD FOR PRODUCING SILICON WAVEGUDIES ON NON-SOI SUBSTRATE

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/11/18

技術說明

本發明提供一種於非SOI基板製作矽光子元件(例如矽波導)之方法，可以採用一般的矽基板(或矽晶圓)進行矽光子元件的製作，而降低矽光子元件的製作成本。此方法可以價格較低廉的矽基板或矽晶圓取代價格較高的SOI基板而製作矽光子元件，而將低矽光子元件的製作成本。藉此，更進一步提供一可以將矽光子元件與電子元件(或半導體元件)製作於同一矽基板上，而降低矽光子元件與電子元件(或半導體元件)整合於同一矽基板上的困難度與製作成本，以矽光子元件做為晶片與晶片之間的光學連接、或做為晶片內的半導體元件之間的光學連接，從而簡化以矽光子元件做為晶片與晶片之間的資料傳輸或晶片內的電子元件(或半導體元件)之間的資料傳輸的困難度，而增加此設計的可能性。其方法包含下列步驟：(1)製作一具高高寬比的背脊結構於一非絕緣層上覆矽(non-SOI)基板上;(2)以雷射照射該背脊結構，而將背脊結構融化重整為一上寬下窄之結構;(3)氧化該上寬下窄之結構以形成一矽波導。 The present invention relates to a method for producing silicon waveguides on non-SOI substrate. This method comprises following steps: (1)forming a ridge structure with low aspect ratio on a non-SOI substrate; (2)melting and reshaping the ridge structure by laser illumination for forming a structure having broad upper part and narrow lower part; (3)oxiding the structure having broad upper part and narrow lower part to form a silicon waveguide.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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