場發射奈米碳管電極及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093100474

專利證號

I231518

專利獲證名稱

場發射奈米碳管電極及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2005/04/21

技術說明

由於奈米碳管具有高惰性，高電傳導性，及極小的端蓋（小的區率半徑），因此相當適 合作為場發射電極的材料。在諸多方法當中，網印法的製作成本較低，且可以大面積塗佈， 做成大範圍之電子發射源，是一種極具應用價值的製程技術。以網印法製作電極，即是將碳 管銀膠網印於基板上，在經過熱處理後，即可形成場發射的電極；根據研究顯示，臨界電壓 （產生10mA/cm電流密度所需之電場(V/μm)）值會因為碳管結構的不同而有所差異，一般單璧 碳管為2-3 V/μm，而多璧碳管為3-5 V/μm。臨界電壓越小表示較小的電壓即可以達到吾人所 設定的電流，因而對奈米碳管所造成的傷害較小。 本專利主要以陶瓷為基材，以自製的多璧碳管為材料，混拌以銀膠及泰米銀粉做成奈米 碳管銀膠，將此銀膠利用網印法塗佈於基板上作成環形電極，發現此環形電極具有良好之場 發射性質，經測試，此電極的臨界電壓可低至1.9 V/μm，較單璧碳管的場發射性質還好，利 用少量陰極材料即可得到大的發光面積。而以奈米銀粉取代一般商業銀粉製作漿料，可以再 提升場發射特性。另外此專利提出以低溫共燒陶瓷（LTCC）來製作內連接電路之陰極面板， 達到陰極電路低成本積集化之目的。

備註

本部(收文號1110008609)同意該校111年2月15日清智財字第1119000986號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

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