發光二極體結構及其製造方法LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/163,220

專利證號

US 7,291,863 B2

專利獲證名稱

發光二極體結構及其製造方法LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2007/11/06

技術說明

一種發光二極體結構，其包括一磊晶基板、一半導體層、一第一接墊與一第二接墊，其中磊晶 基板具有一貫孔，而半導體層係配置於磊晶基板上。此外，半導體層包括一第一型摻雜半導體 層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層，其中第一型摻雜半導體層係配置於磊晶基板上，而 發光層係配置於第一型摻雜半導體層與第二型摻雜半導體層之間。另外，第一接墊係配置於貫 孔內，且第一接墊係與第一型摻雜半導體層電性連接，而第二接墊係配置於第二型摻雜半導體 層上。基於上述，本發明之發光二極體結構具有較佳的散熱效率。特別地，本發明亦揭露一種 發光二極體結構的製造方法。

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

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