利用超臨界流體處理多孔矽結構及其方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110136343

專利證號

I 793783

專利獲證名稱

利用超臨界流體處理多孔矽結構及其方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄大學

獲證日期

2023/02/21

技術說明

一種利用超臨界流體處理多孔矽結構方法包含：在一矽基板上以一蝕刻方法進行蝕刻，以便形成一具多孔矽結構之基板；再將該具多孔矽結構之基板以一超臨界流體進行超臨界流體處理，以便獲得一已處理多孔矽基板；將至少一細胞株可選擇結合於該已處理多孔矽基板；及於該已處理多孔矽基板上進行栽培該細胞株，以便獲得至少一已培養細胞株，並提高其細胞存活率。 A SCFs treatment method of porous silicon structures includes: etching a silicon substrate with an etching manner to form a porous-structured silicon substrate; further treating the porous-structured silicon substrate with a supercritical fluid to obtain a SCFs-treated porous silicon substrate; combining the SCFs-treated porous silicon substrate with at least one cell strain; and culturing the at least one cell strain on the SCFs-treated porous silicon substrate to obtain at least one cultured cell strain with enhancing a cell viability thereof.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

07-5919100

網址