發光元件及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103140122

專利證號

I 560905

專利獲證名稱

發光元件及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2016/12/01

技術說明

本專利發明一個背向製程，製作纖維鋅礦氮化鎵微米碟在透明p型氮化鎵半導體上的電極接觸。氮化鎵微米碟與p型氮化鎵的界面形成堅固且安全的接觸面，得以讓電流通過。我們的作法是將成長方向為 的纖維鋅礦氮化鎵微米碟晶體取下，倒蓋在成長方向為 透明p型纖維鋅礦氮化鎵半導體上，並對齊晶格方向，經過550度C以上的高溫熱退火方式，使氮化鎵微米碟與透明p型氮化鎵半導體的接面熔接，形成堅固且安全的接觸面。接著，鍍上一層氧化層，上、下電極之間的絕緣層。鍍完氧化層後，將倒蓋的氮化鎵微米碟尖端截頭，露出氮化鎵微米碟晶體，接著在分別鍍上n型與p型半導體的電極。將製程完的元件做電性量測，我們所量到的電阻約為45 千歐姆，臨界電壓約為5.9V。此背向製程方法解決奈米元件製作電極的困難。 We developed a back processing to fabricate an electrical contact of wurtzite GaN microdisk on transparent p-type GaN template. The interface welding between the GaN microdisk and p-type GaN template produced a very solid and secure epi-film contact for the electrical current passing through, with a resistance of 45.0 K and threshold voltage of 5.9 V. The back processing can resolve the obstacle of electrical contacts for self-assembled wurtzite nano-devices such as InGaN/GaN microdisk light-emitting diode and high-resolution red-green-blue full-color display.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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