雙層堆疊式金屬半導體金屬結構之超寬頻譜光偵測器之製造方法 | 專利查詢

雙層堆疊式金屬半導體金屬結構之超寬頻譜光偵測器之製造方法


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110148136

專利證號

I 814183

專利獲證名稱

雙層堆疊式金屬半導體金屬結構之超寬頻譜光偵測器之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2023/09/01

技術說明

【中文】 一種雙層堆疊式金屬半導體金屬結構之超寬頻譜光偵測器及其製造方法,主要是先製備一鍺錫混合溶液,然後再將鍺錫混合溶液利用一液相磊晶法在一矽基板上形成一鍺磊晶層,最後在矽基板之一矽表面形成一第一電極層,並在鍺磊晶層之鍺表面形成一第二電極層,藉以形成一雙層堆疊式金屬半導體金屬結構之超寬頻譜光偵測器。 【英文】 An ultra-broad band photodetector with double metal-semiconductor-metal structures and a manufacturing method thereof are provided. The method includes the following steps. A Ge/Sn solution is prepared first, and then the Ge/Sn solution forms a Ge epitaxial layer on a silicon substrate by a liquid phase epitaxy method. A first metal electrode layer is deposited on the surface of the silicon substrate, and a second metal electrode layer is deposited on the surface of the Ge epitaxial layer, thereby forming an ultra-broad band photodetector with double metal-semiconductor-metal structures.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作暨專利技轉中心

連絡電話

(03)2651830


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