釔摻雜氧化銦透明導電薄膜電晶體及其製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101101912

專利證號

I 437710

專利獲證名稱

釔摻雜氧化銦透明導電薄膜電晶體及其製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2014/05/11

技術說明

氧化銦薄膜應用於薄膜電晶體 (thin-film transistor) 是未來研究發展趨勢，常看見使用 CVD、MBE、ALD等方法來製備薄膜，但以上方法必須於真空環境下製備，其高成本和製程步驟較繁雜。故本發明使用溶液凝膠法 (sol-gel) 來製作氧化物薄膜電晶體，其優點為可大面積製作、低成本、非真空環境、且可使用於 roll-to-roll 製程。 此外有發現在 In2O3 中添加 Ga 元素和於 IZO 添加 Sc 元素來製備薄膜電晶體的文獻，但沒有發現摻 Y 元素於 In2O3 中製備薄膜電晶體的文獻與專利，而使用 Y 摻雜的優點是 Y較其他元素便宜，故可達到降低成本的優勢。 Indium oxide film used in thin-film transistor is the trend to the future. But like CVD、MBE、ALD methods need in vacuum environment, all of above methods are expensive and the processes are complex. The invention used in sol-gel method to fabricate considering that the large-area, low-cost, non-vacuum environment, and roll-to-roll process. For instance, Ga-doped Indium oxide and Sc-doped IZO to fabricate film as active layer of thin-film transistor is already post. The invention use Y-doped Indium oxide to fabricate film as active layer of thin-film transistor has never been post in any paper or patent. And the advantage of use Y to doping considering that cheaper than other element.

備註

本部(收文號1090021578)同意該校中正研發字第1090002636號函申請終止維護專利(中正)

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