應用於電阻式隨機儲存記憶體的非晶氧化物薄膜RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY USING RARE EARTH SCANDATE THIN FILM AS STORAGE MEDIUM

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/404,192

專利證號

US 8,445,888 B1

專利獲證名稱

應用於電阻式隨機儲存記憶體的非晶氧化物薄膜RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY USING RARE EARTH SCANDATE THIN FILM AS STORAGE MEDIUM

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2013/05/21

技術說明

本發明關於電阻式隨機儲存記憶體之效能提升，擬用射頻磁控濺鍍儀製備超薄非晶質鈧酸鈥薄膜於多層膜(Pt/Ti/SiO2/Si)之基板，厚度約為36 nm和含氧量為51 at.%之鈧酸鈥(HSO)薄膜經由半導體分析儀測試，相較於其他類似的材料大部分皆需要forming，本材料在沒有forming的條件下具有雙極性(unipolar)電阻轉換行為(resistance switching behavior)，且顯示高電阻比值(約3 orders)及低操作電壓亦毋需額外的高溫退火特性，由此可知，非晶質鈧酸鈥薄膜具極高潛力應用於電阻式隨機儲存記憶體。 In addition to beneficial ~3 orders of magnitude in the resistance ratio, the oxygen-deficient (51 at.%) of amorphous HoScOx (HSO) film exhibits unipolar switching behavior and excellent resistive switching (RS) properties of low electrical stress, thin thickness (36 nm) and simple process without forming or annealing, making it potentially useful for nonvolatile memory applications.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

02-2733-3141#7346

網址