多孔矽奈米線的製法及所製得之多孔矽奈米線

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101101722

專利證號

I 464108

專利獲證名稱

多孔矽奈米線的製法及所製得之多孔矽奈米線

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄大學

獲證日期

2014/12/11

技術說明

矽為積體電路產業中極重要的半導體材料，近幾年尺度奈米化之後，更發展出許多前瞻的性質與應用。一維結構之矽奈米線，由於獨特的物理性質，在光電領域有相當大的應用；而奈米等級之多孔矽，因為其量子侷限效應使其能隙寬化而發出可見光，此特性將可增進元件的光學性質。 本發明利用電化學法將不同阻質之矽基板所製備之矽奈米線，藉由控制電化學參數，在奈米線表面與內部形成多孔結構。此一新穎製程可解決以濕式製程製備之矽奈米線表面氧化層過厚所造成之光電性質減弱之缺點，並可突破文獻中僅能用低阻質製備多孔矽奈米線之限制。此多孔矽奈米線，不僅有良好的光學性質，在可見光區波段亦有優異的抗反射能力，可提升光電元件之效率。此外，其表面性質呈現超疏水性，可有效提升自潔效果。 Si is an important material in IC industry. Recently, nano-scale Si has attracted much attention and developed many advanced applications. Among these, one-dimensional Si nanowires show wide applications in optoelectronic industry due to its excellent optoelectronic properties. Beside, porous Si nanowires even show novel optical properties because of quantum confined effects. The invent focuses on the preparation of porous Si nanowires by a proposed electrochemical route. The techniques can not only reduce the thickness of SiO2 layer on the surface of Si nanowires, but also overcomes the resistivity limitation of Si. The as-prepared porous Si nanowires show excellent anti-reflection properties in visible region, which is beneficial to efficiency of optoelectronic devices. Besides, the Si nanowires show super-hydrophobic properties, which can be applied in self-cleaning surface.

備註

依111.12.20.本會111年第4次研發成果管理審查會決議辦理 本會(收文號1110047863)同意該校111年7月26日高大研發字第1111400173號函申請終止維護專利(國立高雄大學)

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