可撓式極薄金微電極及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110107955

專利證號

I 774257

專利獲證名稱

可撓式極薄金微電極及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2022/08/11

技術說明

一種可撓式金微電極，係包括：包括實心金導線段的導線，其中，該實心金導線段之直徑介於10 μm至30 μm之間；包夾該導線之兩層聚合物膜，且各該聚合物膜之厚度為10 μm以下；以及介於該兩層聚合物膜之間且包覆該導線之絕緣膠層。本發明之可撓式金微電極適用於掃描式電化學顯微鏡，整體的電極體積極薄，因此具有高靈敏度、不毀損樣品表面以及低成本之優勢。 Provided is a flexible gold microelectrode comprising: a conductive thread including a solid gold wire segment, wherein the diameter of the solid gold wire segment is between 10 μm and 30 μm; two layers of polymer films sandwiching the conductive thread, wherein the thickness of each polymer film is equal to or less than 10 μm; and an insulating adhesive layer between the two polymer films and encapsulating the conductive thread. The flexible gold microelectrode of the present invention is suitable for scanning electrochemical microscopes and the thickness of the whole electrode is extremely thin, and thus the electrode has the advantages of high sensitivity, no damage to the surface of sample and low cost.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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