相變化材料、記憶單元及利用電學儲存/讀取資料之方法PHASE-CHANGE MATERIAL,MEMORY UNIT AND METHOD FOR ELECTRICALLY STORING/READING DATA

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/182,644

專利證號

US 7,884,345 B2

專利獲證名稱

相變化材料、記憶單元及利用電學儲存/讀取資料之方法PHASE-CHANGE MATERIAL,MEMORY UNIT AND METHOD FOR ELECTRICALLY STORING/READING DATA

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2011/02/08

技術說明

一種相變化材料與記錄單元，該材料僅具有單一結晶態且主要成分係選自銦、鎵及/或鍺之氧化物或氮氧化物。該材料可用於製作記憶單元，包含基板；形成於該基板表面之第一接觸電極；配置於該基板表面之介電層，該介電層具有一開孔供相變化材料層形成於該開孔中；以及配置於該介電層表面之第二接觸電極。由於該相變化材料僅具有單一結晶態，且高、低阻態區別度大，所形成之記憶單元，可以在低臨界功率之條件下，利用脈衝電壓快速地達成相變化特性，且不易發生重置不完全的情況，同時具有可與矽半導體製程技術整合之優點。 The present invention provides a phase change material comprising a plurality of metal nitride-oxides. A nanocomposite phase change material and a method of manufacturing the same are disclosed. A nonvolatile phase change memory cell in accordance with the present invention provides higher data retention.

備註

本部(收文號1090002409)同意該校109年1月7日校研發字第1090000702號函申請終止維護專利(臺大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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