薄膜電晶體製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101136587

專利證號

I 476935

專利獲證名稱

薄膜電晶體製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2015/03/11

技術說明

一種薄膜電晶體製造方法，其步驟包括：提供基板；於基板上形成三層結構，其包含非晶半導體層、閘極介電層與金屬閘極結構；於非晶半導體層中形成源極摻雜區與汲極摻雜區；以及進行微波退火步驟，使非晶半導體層重組為多晶半導體層，並同時活化源/汲極摻雜區。此微波技術活化技術可以有效的提供非晶矽層形成多晶半導體，並且將活化源/汲極摻雜區，對於非晶矽的薄膜結晶和源極汲極的摻雜活化透過微波退火更可以提供有效率的結晶效果。 A method for fabricating a thin film transistor includes providing a substrate; forming a three-layer structure including an amorphous semiconductor film, a gate dielectric layer and a metal gate structure; forming source/drain doped regions; and performing a microwave annealing process to transform the amorphous semiconductor film into a polycrystalline semiconductor film and meanwhile activate the source/drain doped regions.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

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