半導體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100131371

專利證號

I 424565

專利獲證名稱

半導體元件

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2014/01/21

技術說明

本發明「半導體元件」係提出一具有高蕭特基能障且具有雙組成成分呈對稱式線性變化之稀釋型通道InxAl1-xAs/InxGa1-xAs1-ySby/GaAs高電子移動率電晶體(HEMT)，藉由摻入微量銻於砷化銦鎵通道層中，可提供做為層膜介面活性劑(surfactant)與有效增加導電帶不連續(ΔEC)能障高度之功效，且結合其與含銦之雙元素線性變化設計，以獲致改善通道中載子束縛力、傳導特性、減緩紐結效應、改善線性度增益等優點。另外，結合以InxAl1-xAsySb1-y材質設為該元件之蕭特基接觸層與緩衝層設計，可有效降低閘極/基板漏電流、改善功率附加效率(P.A.E.)等元件特性。本發明提出此一具對稱漸變式InxGa1-xAs1-ySby通道層之InxAl1-xAs/InxGa1-xAs1-ySby/GaAs HEMT設計，可有效改善崩潰電壓、電壓增益、驅動電流及熱穩定性，進而增進高頻與功率附加增益等元件工作特性，可直接應用於高溫及高功率等微波積體電路產業技術。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

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