以低溫電漿化學氣相沉積高分子膜/無機薄膜多疊層阻水膜之形成方法ELECTROLUMINESCENT DEVICE INCLUDING MOISTURE BARRIER LAYER

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/616,442

專利證號

US 8,963,421 B2

專利獲證名稱

以低溫電漿化學氣相沉積高分子膜/無機薄膜多疊層阻水膜之形成方法ELECTROLUMINESCENT DEVICE INCLUDING MOISTURE BARRIER LAYER

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/02/24

技術說明

我們利用了單一種來源的無氧前驅物(含有矽、碳和氮元素)於電漿輔助化學氣相沉積系統下，在不破真空的狀態下，能連續的製備多層的碳氮化矽/聚苯乙烯高性能水氣阻障薄膜。該製程利用氬氣作為載流氣體，在低電漿功率密度以及廣泛的基材溫度環境下進行沉積多層薄膜。低溫下製備的碳氮化矽薄膜仍可維持一定的密度來阻擋水氣通過；PS薄膜可以有效的癒合碳氮化矽薄膜的pinhole並且增加了水氣的擴散路徑，達到降低WVTR的效果。 Carbon-doped silicon nitride and polystyrene thin films are fabricated by plasma-enhanced chemical vapor deposition reactor with a semiconductor substrate, using a single-source oxygen-free precursor (containing Si, C, and N elements) and carrier gas at low plasma power density and wide substrate temperatures. In low-temperature process, the SiCxNy thin film can maintain a relative higher density to obstruct the moisture diffusion; the PS thin film can heal the pin-hells, which result from the SiCxNy thin film deposition, then increase the diffusion path. Both of them result to an efficiently reduce the WVTR.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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