準直性發光元件與其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100118574

專利證號

I 438932

專利獲證名稱

準直性發光元件與其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2014/05/21

技術說明

將微光學元件以微影製程技術製作在發光二極體上，以提高發光二極體之出光準直性. 該等微光學元件包括Fresnel lens，微透鏡，微透鏡陣列等等。 微影製程包括半導體製程的微影，蝕刻，封裝等等製程。 該等發光二極體包括各種發光二極體，特別是GaN和GaAs等III─V系列。 將微光學元件以微影製程技術製作在發光二極體上，以提高發光二極體之出光準直性. 該等微光學元件包括Fresnel lens，微透鏡，微透鏡陣列等等。 微影製程包括半導體製程的微影，蝕刻，封裝等等製程。 該等發光二極體包括各種發光二極體，特別是GaN和GaAs等III─V系列。 Using semiconductor micro lithography technique to fabricate micro optical elements on light emitting diodes for the purpose of collimating, focusing, concentrating the output of the LED. The micro optical elements including Fresnel lens, micro lens, mocro lens array etc.. The micro lithography fabrication process including lithographic process and etching process, etc. The light emitting diode including various semiconducting diode, including GaN, GaAs...IIIV compounds. Using semiconductor micro lithography technique to fabricate micro optical elements on light emitting diodes for the purpose of collimating, focusing, concentrating the output of the LED. The micro optical elements including Fresnel lens, micro lens, mocro lens array etc.. The micro lithography fabrication process including lithographic process and etching process, etc. The light emitting diode including various semiconducting diode, including GaN, GaAs...IIIV compounds.

備註

本會(收文號1110060946)同意該校111年9月29日清智財字第1119007219號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

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