具有極低補償電壓和高電流增益之異質接面雙極性晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

111-094

專利證號

6800880B1

專利獲證名稱

具有極低補償電壓和高電流增益之異質接面雙極性晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄師範大學

獲證日期

2004/10/05

技術說明

本發明揭示新的異質接面雙極性電晶體，同時具有大 電流增益及極低補償電壓特性。本發明元件在射-基 極異質接面加入一間隔層/摻雜/間隔層結構，可消 除位障尖峰且可使電洞侷限效應有效增加。且在大 基-射極偏壓時，仍不會出現位障尖峰，補償電壓仍 很小且增加不大。特別對於大導電帶不連續之異質接 面雙極性電晶體，本發明可有效率的完全消除位障尖 峰。以磷化銦/砷化銦鎵(InP/GaInAs)異質接面雙極 性電晶體為實施例，典型之最大電流增益達455，而 在低基極電流(IB約5A)時電流增益可達320以上， 且補償電壓小於60mV。 New heterojunction bipolar transistors (HBT’ s) with high current gain and extremely low offset voltage are disclosed. Owing to the insertion of spacer/-doped sheet/spacer at base-emitter (B-E) heterojunction in this invention, the potential spike at B-E junction can be eliminated and the confinement effect for holes are enhanced. The potential spike is not observed under large B-E bias, and the offset voltage is still relatively small with small increase. In particular, for the HBT’s with large conduction band discontinuity, the method of the invention is more efficient for completely eliminating the potential spike. For the example of InP/GaInAs HBT, a maximum common-emitter current gain of 455 and above 320 at IB=5A, and a low offset voltage less 60 mV are achieved.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

學術研究組

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