聚乙烯二氧噻吩－聚苯乙烯磺酸鹽導電膜及其製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103100193

專利證號

I 512037

專利獲證名稱

聚乙烯二氧噻吩－聚苯乙烯磺酸鹽導電膜及其製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄大學

獲證日期

2015/12/11

技術說明

本發明利用簡單的摻雜效應，接著使用加熱方式，使得PEDOT: PSS薄膜之片電阻值大幅下降。PEDOT: PSS溶液的摻雜使用價格低廉的有機溶劑山梨糖醇；PEDOT: PSS溶液加熱方法，使PEDOT: PSS更加的聚集。而PEDOT :PSS聚集現象可以使得PEDOT: PSS薄膜之片電阻值大幅下降，整整降低了近千倍。本發明不但方法簡單，且有效改善PEDOT: PSS導電性不佳之缺點，同時為生產成本低廉之創新發明。 A simple doping effect was used in this invention. And then the method of heating-stirred is used. The sheet resistance of PEDOT: PSS film was significantly reduced by using the aforementioned method. The PEDOT: PSS solution was doped through inexpensive organic solvent, sorbitol. PEDOT grains and PSS chains aggregating gradually in the heating-stirred process. This aggregation effect enhances the conductivity of the PEDOT: PSS film. The sheet resistance of PEDOT: PSS film was nearly reduced a thousand times than the original. The invention is not only a simple processing method, but also the conductivity of PEDOT: PSS film improved significantly.

備註

依112.03.27.本會112年第1次研發成果管理審查會決議辦理 本會(收文號1110075253)同意該校111年12月8日高大研發字第1111400305號函申請終止維護專利(高雄大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

07-5919100

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