矽/鍺異質結構的長波長矽金屬氧化半導體發光元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094142378

專利證號

I 264138

專利獲證名稱

矽/鍺異質結構的長波長矽金屬氧化半導體發光元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2006/10/11

技術說明

近遠紅外光長波長啊光元件(2-2.4um)首次成功的製作於四族金屬氧化半導 體發光二極體中.半導體發光元件的組成為在基底為p型,方向(100)的矽基板 上,長出很薄的鍺量子井,和矽表層,224um的長波長發光二極體的發光機制是 在鍺量子井中的價電及島電基屬穿越到達矽鍺異質接面,並和電洞復合.其中 電子也會和在矽表層架電帶中的電洞復合,而散發出接近矽能帶寬的光.

備註

本部(收文號1060029841)同意該校106年5月4日校研發字第1060033342號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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