凸台狀累增光偵測元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

107115246

專利證號

I 664718

專利獲證名稱

凸台狀累增光偵測元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2019/07/01

技術說明

一種光偵測結構，為新穎之砷化銦鋁（InAlAs）累增崩潰光二極體（Avalanche Photodiode, APD）結構，係採取陰極（累增層(M-layer)在底部）電極在下之磊晶層結構，讓累增層（Multiplication Layer）電場最強之區域包覆在元件內部底層以避免表面擊穿（Surface breakdown），本發明主要增厚i-本質層，僅使用一層光吸收層，並於N型歐姆接觸層下方加入一DBR反射層，此DBR反射層的材料可為InGaAsP/InP或InAlGaAs/InAlAs，至少5對以上，且使用第二帶溝漸變層蝕刻出一個mesa形狀，透過此單一平台結構即可使累增層中間的電場高，而其邊緣電場低，以達到累增層電場侷限之效果，且除了累增層會碰到崩潰(break down) 使電場特別高之外，所有layer的電場都會far below break down。藉此，本發明透過吸收層的p型參雜把二次電洞變成二次電子，利用電子跑的比較快之特性，所以可以讓元件的速度變得更快，可以用比較厚的空乏區，令光偵測結構具備快的響應速度和較大的面積。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址