超級電容器及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102108617

專利證號

I 478185

專利獲證名稱

超級電容器及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2015/03/21

技術說明

本發明可達到超高電容值之固態電容器。本發明之主要特點如下： 1. 本發明使用金屬合金基板，施以去合金製程，使其形成高表面積之多孔洞金屬基板，此高表面積金屬可作為電容器之下電極層。 2. 本發明使用原子層沉積技術（Atomic Layer Deposition, 以下簡稱ALD）或其他金屬氧化反應方式，於1中之多孔洞金屬表面上沉積具有高介電值之氧化物薄膜(氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氧化鈦等)。ALD與金屬氧化方式皆可於多孔洞金屬表面形成高品質且均勻之氧化薄膜，並能完整包覆多孔洞金屬之所有表面。此外，因ALD與金屬氧化方式所形成之氧化物薄膜之品質極佳，僅需超薄厚度即可達到介電層之效果，因此介電層之電容值可大幅提升。 3. 本發明使用ALD於2中之多孔洞介電層表面沉積導電膜、或使用熔融之液態導電材料灌入2中形成上電極層。此方法可確實在多孔洞結構內形成完整包覆且具有良好導電度之上電極層，使電容器能達到最大電容值。 The invention provides a super capacitor, comprising: a bottom electrode, made of metal that has a sponge-like porous bicontinuous structure wherein the porous bicontinuous structure comprises a plurality of continuous nano pores; a dielectric layer, made of material with high dielectric constant and disposed on the bottom electrode wherein the dielectric layer has a thickness of 0.5~15 nm; and a top electrode, comprising single layer or multiple layers of conductive layers and having a thickness more than 10 nm.

備註

本會(收文號1110071255)同意該校111年11月17日校研發字第1110090084號函申請終止維護專利(國立臺灣大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

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33669945

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