多孔奈米結構之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100136611

專利證號

I 450853

專利獲證名稱

多孔奈米結構之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/09/01

技術說明

揭示一種技術，可製作具備高抗反射性能的多孔矽仿生結構。揭露以單一製程（使用rf濺鍍機），即可製作自組式銀奈米網格陣列，此銀奈米網格於進行乾蝕刻時，作為一天然之金屬遮罩，進而成功完成製作多孔矽以結構。本創作係無須再經過任何溫度的退火製程。故，可節省極大的能源及製作時間（銀奈米網格之成長過程僅需20秒），並且製作過程無須微影製程。而，銀奈米網格已被證實，可作為奈米金屬遮罩，進而製作具備極佳抗反射性能之多孔矽仿生奈米結構。此多孔矽仿生奈米結構的平均反射率為0.69%，於入射光波長為300至100奈米時。 A lithography-free approach for fabricating biomimetics porous silicon (P-Si) with excellent antireflective properties is disclosed. We further disclose a method of producing the silver nanogrids array using a single-step rf-sputtering process. The self-assembled silver disordered nanogrids were formed via the Volmer-Weber growth mode (island growth mode) during the deposition process, which, in turn, serve as a metal-nanomask for the subsequent dry etching process carried out for fabricating the P-Si on Si substrates. According to the present disclosed method, since no any heat treatment or lithography process is necessary, the process and energy cost can be significantly reduced. In a preferred embodiment of the present invention, the porous Si biominmetics nanostructure with as low as about 0.69% of reflectivity over the spectral region ranging from deep-ultraviolet to infrared light (300 to 1000 nm) was obtained.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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