增加氮化錠發光二極體之光取出效率之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097105642

專利證號

I 392115

專利獲證名稱

增加氮化錠發光二極體之光取出效率之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/04/01

技術說明

一種增加氮化鎵發光二極體之光取出效率之方法，其包含步驟：提供一氮化鎵磊晶圓(GaN wafer)，其具有一發光表面；依預定混合比例混合一鋅源溶液及一晶種溶液成為一混合液；利用該混合液處理該氮化鎵磊晶圓之發光表面，使該發光表面成長直立狀之氧化鋅長晶柱；藉由控制處理溫度及時間，使該氧化鋅長晶柱形成預定長寬尺寸比例及預定分佈密度；及切割該氮化鎵磊晶圓，以形成數個氮化鎵發光二極體單晶片。本發明係關於一種增加氮化鎵發光二極體之光取出效率之方法，特別是關於一種藉由液相沈積法(liquid-phase deposition)在氮化鎵發光二極體(GaN LED)之發光表面上成長直立狀之氧化鋅長晶柱，以增加氮化鎵發光二極體之光取出效率之方法。

備註

本部(收文號1040083830)同意該校104年12月24日中產營字第1041400470號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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