奈米粗化陣列結構之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101108892

專利證號

I 465388

專利獲證名稱

奈米粗化陣列結構之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/12/21

技術說明

本發明提供一種奈米粗化陣列結構之製造方法，其包括下列步驟： 在一載體元件層上沉積一介電材料層； 在該介電材料層上沉積一金屬薄膜； 對該介電材料層、該金屬薄膜以及該載體元件層進行退火處理，以使該金屬薄膜形成複數個金屬球狀部，並且曝露該等金屬球狀部之間的該介電材料層； 利用該等金屬球狀部作為遮罩，以對曝露的該介電材料層進行蝕刻直至曝露該載體元件層，以使未曝露的該介電材料層形成一複合柱狀體陣列結構； 以及去除該複合柱狀體陣列結構上的該等金屬球狀部，以形成奈米粗化陣列結構。 本發明提供簡易且快速的製造方法，從而降低製造奈米粗化陣列結構之成本。 The present invention provides a method for manufacturing a nano roughing array structure. The process includes: Deposit a dielectric layer on support element layer; Deposit a metal film on the dielectric layer; After an annealing process, the self-assembled metal particles are formed. Using the metal particles as an etching mask and subsequent etching process, the nano roughing array structure is manufactured. The present invention provides a simple and fast manufacturing method, thereby reducing manufacturing cost of the nano roughing array structure.

備註

本部(收文號1100075104)同意該校110年12月24日校研發字第1100095825號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址