利用低頻電磁波製備石墨烯之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101104065

專利證號

I 448427

專利獲證名稱

利用低頻電磁波製備石墨烯之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2014/08/11

技術說明

本發明係有關於一種石墨烯之製備方法，包括步驟：(A) 提供一基板；(B) 形成一金屬層於該基板上；(C) 提供一碳源，係用以形成一含碳層，其位於該金屬層上；以及(D) 利用低頻電磁波處理該金屬層表面上之該含碳層。其中，該低頻電磁波係由一微波場裝置提供，藉由微波吸收子(例如，SiC)為媒介將該微波場裝置所含的電磁能轉換成熱能量，以直接加熱該含碳層，使含碳層之碳原子獲得動能後於該金屬層之表面及該金屬層與該基板之間成長出石墨烯層。 The present invention relates to a process of inducing graphene by low-frequency electromagnetic wave, which includes the following steps: (A) providing a substrate; (B) forming a metal layer on the substrate; (C) providing a carbon source to form a carbon-containing layer locating on the metal layer; and (D) performing a treatment of the carbon-containing layer formed on the metal layer by using low-frequency electromagnetic wave, wherein the low-frequency electromagnetic wave is provided by microwave field device. The electromagnetic energy from the microwave field device is converted to thermal energy by microwave absorber (for example, SiC) as a media to directly heat the carbon-containing layer, so that carbon atoms can get kinetic energy to form graphene layers on the surface of the metal layer and between the metal layer and the substrate.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址