應用於太陽能電池之背電極結構及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099132127

專利證號

I 437713

專利獲證名稱

應用於太陽能電池之背電極結構及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/05/11

技術說明

本發明揭露一種應用於太陽能電池中背電極結構，以增進薄膜太陽能電池之光電轉換效率，其中太陽能電池包括一基板、一工作層及一上基板，工作層及上基板依序設置於該基板之ㄧ側，背電極結構設置於基板之另ㄧ側。背電極結構包括複數粒狀結構、一透明導電層及一電極。複數粒狀結構設置於基板之表面上，透明導電層設置於粒狀結構及基板上，並且電極設置於粒狀結構及透明導電層上。其特徵為透明導電層之高度等於或小於粒狀結構之直徑，使得粒狀結構位於透明導電層及電極之界面。 A back contact structure is applied for solar cell, which includes a substrate, an active layer and a top plate. The active and the top plate are disposed on one side of the substrate. The back contact structure is disposed on the other side of the substrate. The back contact structure includes a plurality of granular textures, a transparent conductive oxide and an electrode. The granular textures are disposed on the surface of the substrate, the transparent conductive oxide is disposed on the granular textures and the substrate, and the electrode is disposed on the granular textures and the transparent conductive oxide. The feature is that the height of the transparent conductive oxide is equal to or smaller than the diameter of the granular textures, so the granular textures are at the interface between the transparent conductive oxide and the electrode.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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