電感式電漿蝕刻設備及其回授控制方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094111444

專利證號

I298909

專利獲證名稱

電感式電漿蝕刻設備及其回授控制方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2008/07/11

技術說明

在電漿製程中，影響離子反應的關鍵因素為正離子 通量，離子轟擊能量，反應粒子濃度等。在高反應 粒子濃度狀況下，前兩者的影響更形重要。本技術 係利用射頻阻抗計連接在晶圓座下方，測量射頻電 壓、電流、與電壓與電流間的相角。經由計算可得 離子電流與射頻偏壓，此兩個測量值分別與正離子 通量與離子能量有關。設計回授控制器，以射頻功 率產生器作為致動器，回授控制這兩個電漿參數。 本技術的特點為回授控制離子電流與射頻 偏壓能控制主要影響蝕刻製程的電漿參數，將不再 受電漿腔體因外在環境干擾或內部腔壁狀態改變而 產生的變化。此項技術為首創。另外使用的感測器 為商用之射頻阻抗計，組裝於機台不需長時間之開 發。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址