發明
中華民國
090109399
174586
利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術
國立臺灣大學
2003/03/21
利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術
產學合作總中心
33669945
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