利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術 | 專利查詢

利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090109399

專利證號

174586

專利獲證名稱

利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2003/03/21

技術說明

利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945


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