發明
中華民國
098100480
I 383145
量測抗壞血酸之感測電極及其製法
國立中興大學
2013/01/21
在本專利中,使用噴灑塗佈奈米碳管而後電化學聚合聚苯胺在ITO導電玻璃上,製作出擁有高靈敏度、再現性的抗壞血酸偵測電極,其濃度線性範圍為10-5-10-2M,偵測極限可達10-5M。在本專利中,使用噴灑塗佈奈米碳管而後電化學聚合聚苯胺在ITO導電玻璃上,製作出擁有高靈敏度、再現性的抗壞血酸偵測電極,其濃度線性範圍為10-5-10-2M,偵測極限可達10-5M。在本專利中,使用噴灑塗佈奈米碳管而後電化學聚合聚苯胺在ITO導電玻璃上,製作出擁有高靈敏度、再現性的抗壞血酸偵測電極,其濃度線性範圍為10-5-10-2M,偵測極限可達10-5M。
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