電子束微影方法、電子束微影伺服控制方法及系統

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100105717

專利證號

I 438818

專利獲證名稱

電子束微影方法、電子束微影伺服控制方法及系統

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/05/21

技術說明

一般單電子源之曝寫系統雖然能產生高線速度的掃瞄，因此曝寫品質很高，但其缺點是單次曝寫範圍小，因此在兩次曝寫間只能產生非連續性的圖形。此外，較大的單次曝光範圍也可能產生熱效應等不確定性。 本發明提出以長行程高解析度的量測系統做為全域定位裝置，加上協調不同動態特性的致動平台，配合以電子束偏折快速曝寫出任意圖形，以步進-穩定-曝寫的流程達成大面積高解析度連續圖形的曝寫，並能大幅提高圖形解析度、提升生產力。 Beam-scanned e-beam exposure systems can generate high quality patterns with high velocity of scanning. The disadvantage of beam-scanning exposure is that the area of single exposure is too small to derive a continuous pattern. In addition, larger single exposure area will introduce thermal effect and other uncertainties which are harmful to pattern accuracy. This invention proposed to employ long range, high resolution measurement system for global positioning and a well-coordinated actuator stage set which have different dynamical characteristics, and cooperated with rapid-deflecting electron beam for rapid arbitrary pattern generation. The stepping-stabilizing-exposing process can be used to accomplish large area and high resolution e-beam-exposed patterns with high throughput.

備註

本部(收文號1100057959)同意該校110年9月16日校研發字第1100067275號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址