半導體結構及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101113064

專利證號

I 435450

專利獲證名稱

半導體結構及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2014/04/21

技術說明

本發明利用原子序實質介於57至78間的金屬元素的金屬離子摻質於金屬半導體化合物層/半導體基材，降低金屬半導體化合物層/半導體接面的蕭基能障特性，藉以降低整體元件源/汲極寄生電阻，提升元件性能。此種半導體結構，包括: 基材、金屬半導體化合物層以及複數個金屬摻質。其中，基材，具有一基材表面。金屬半導體化合物層，由基材表面延伸進入基材之中。金屬摻質，摻雜於金屬半導體化合物層以及基材之中，並具有至少一摻雜濃度波峰，鄰接於金屬半導體化合物層與基材的介面。且這些金屬摻質，係由原子序實質介於57至78間的金屬元素其中之ㄧ者或上述金屬元素的任意組合所構成。 A semiconductor device comprises a substrate, a metal-semiconductor compound layer and at least one kind of metal dopant. The substrate has a surface. The metal-semiconductor compound layer extends downwards into the substrate from the surface. The metal dopant which is made by one of a group of metal elements with atomic numbers ranging from 57 to 78 or the arbitrary combinations thereof and doped in the metal-semiconductor compound layer and the substrate with at least one peak concentration formed adjacent to the interface of the metal-semiconductor compound layer and the substrate.

備註

本部(收文號1090028278)同意該院109年5月15日國研授半導體企院字第1091300562號函申請終止維護專利(國研院)

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