垂直式單電晶體無電容式動態隨機存取記憶單元及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100115020

專利證號

I 442517

專利獲證名稱

垂直式單電晶體無電容式動態隨機存取記憶單元及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/06/21

技術說明

本發明關於一種垂直式單電晶體無電容式動態隨機存取記憶單元及其製造方法，其包括：一基板、一中間氧化層、一本體、一環繞鰭型式側壁氧化層、一半導體層、一汲極部、一閘極氧化層及環繞鰭型式閘極部。利用只有中間氧化層而源極與基板直接連接(Source tie)，使廢熱有更好的逸散路徑，而環繞鰭型式側壁氧化層可減少源極部與本體之P-N接面，有效減少漏電流問題，使電洞保存時間延長及使資料保存時間有效增長。並且，本發明之環繞鰭型式閘極部結構可加快寫入速度，且垂直式結構可使本體之中性區區域在相同面積下有效加大，並且增加電洞儲存區域，使資料更容易辨別，以增加可程式窗。 The invention relates to a vertical capacitor-less 1T-DRAM and method for manufacturing the same. The vertical capacitor-less 1T-DRAM includes a substrate, a middle oxide layer, a base, an around spacer oxide layer, a semiconductor layer, a drain, a gate oxide layer and an around gate. Using the middle oxide layer and source tie directly connecting the source and the substrate, the heat can be dissipated along the dissipation path. The around spacer oxide layer can reduce the P-N junction between the source and the base to reduce the current leakage problem so as to extend the retention time for electron hole and for data. Furthermore, the around gate of the invention can accelerate the writing speed, and the vertical structure of the invention can increase the neutral zone of the base, and increase the storing zone of the electron hole to easily identify the data and to increase the programming window.

備註

本部(收文號1060022490)同意該校106年4月6日中產營字第1061400338號函申請終止維護專利

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