陣列式酸鹼離子感測元件之製作及後端讀出電路裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/342,185

專利證號

US 7,435,610 B2

專利獲證名稱

陣列式酸鹼離子感測元件之製作及後端讀出電路裝置

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2008/10/14

技術說明

本發明係以延伸式酸鹼離子感測場效電晶體為基礎製作一陣列式酸鹼離 子感測器及其後端讀出電路的方法及裝置.此種以延伸式酸鹼離子感測 場效電晶體之陣列式感測元作結構為:二氧化錫/金屬/二氧化矽多層結 構感測元作與二氧化錫/氧化銦錫/玻璃基板多層結構感測元件,擁有極 佳之特性;例如在氫離子濃度PH2至PH10量測範圍內,此種感測元件之感 測度接近奈恩思特響應,在56-58mV/ph範圍及具高感測線性度,此外以兩 訊號產生器對於讀出電路及元件進行控制及讀取.特別的是此種元件有 效地增加量測準確度及降低雜訊干擾.這種製程方法具有製程系統設備 簡單,價格低廉,大量製作等優點,亦可製作出價格低廉之可拋式感測元 作.所以,本發明在陣列式酸鹼離子感測器中,具有極高之可行性與應用 性.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作暨專利技轉中心

連絡電話

(03)2651830

網址