具共振帶間穿隧二極體之金屬氧化半導體裝置及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095131848

專利證號

I 318800

專利獲證名稱

具共振帶間穿隧二極體之金屬氧化半導體裝置及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2009/12/21

技術說明

本發明之一目的在於提供MOS元件高速切換的可能，另外也幫助微小化的MOS元件，特別是在門 檻電壓(threshold voltage)較低的MOS元件一個優良的抗雜訊干擾能力的一RITD整合至金屬氧 化半導體元件的裝置及其製作方法 MOS Device with ritds and method for making the same

備註

本部(收文號1040083830)同意該校104年11月20日中產營字第1041400247號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

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