氧化鋅奈米線場效電晶體氣體感測裝置Gas sensor made of field effect transistor based on ZnO nanowire

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/230,662

專利證號

US 7,963,148 B2

專利獲證名稱

氧化鋅奈米線場效電晶體氣體感測裝置Gas sensor made of field effect transistor based on ZnO nanowire

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2011/06/21

技術說明

本發明所揭露之氧化鋅奈米線場效電晶體氣體感測裝置係利用金氧半場效電晶體 (MOSFET) 之原理，以氧化鋅奈米線做為源極與洩極間之電荷載體通道而製成。本發明係一種三極式氣體感測裝置，其不同於一般傳統所用的二極式氣體感測裝置。本發明利用閘極來影響源極與洩極間之通道，即氧化鋅奈米線之電阻，並利用氧化鋅奈米線本身具有高比表面積及n型半導體之特性來大幅度提高裝置對氣體感測之能力。本發明有關於氣體感測用之裝置，尤其是有關於利用場效電晶體之原理所製成之氣體感測用裝置。該氣體感測裝置具有三個電極－源極(source)、洩極(drain)及閘極(gate)。在源極與洩極之間的電荷載體(電子或電洞)通道(channel)係由氧化鋅奈米線束所構成。利用氧化鋅奈米線束所具有半導體及大比表面積之特性，並利用閘極之電壓的偏壓控制，可以大大提高本發明所揭露之氣體感測裝置對氣體感測之能力。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

(05)6315933

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