高效率之發光元件及其製造方法High efficiency lighting device and method for fabricating the same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/382,695

專利證號

US 7,863,608 B2

專利獲證名稱

高效率之發光元件及其製造方法High efficiency lighting device and method for fabricating the same

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2011/01/04

技術說明

我們提出將長晶與製程成為一體的設計概念。本發明係利用規則氧化鋅微奈米結構做為長晶中心，以氧化鋅奈米結構的側壁做為長晶的中心，配合現有半導體長晶技術來成長出高品質氮化物半導體晶體。規則氧化鋅奈米結構除了可以做為導電材料以外，其奈米結構的側壁也能做為長晶的平面，以成長出高品質的發光層。此外，此一方法不受長晶材料與基板晶格常數不匹配的限制，可製作在任意的基板上，徹底解決長晶時遇到的瓶頸，並且大大降低了成本，同時也突破現今發光二極體傳統的逐層（layer-by-layer）之發光結構，讓每一個氧化鋅奈米結構即是發光元件，大幅增加單位面積的元件數目。

備註

已於102.10.21來函(1020083408)通知於2013.03.20讓與

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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