單次可程式化記憶單元及其操作方法One-time programmable memory and operating method thereof

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/146,753

專利證號

US 7,903,444 B2

專利獲證名稱

單次可程式化記憶單元及其操作方法One-time programmable memory and operating method thereof

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2011/03/08

技術說明

本發明提供一種單次可程式化記憶單元，其包含閘極介電層、閘極電極、第一源極/汲極、第二源極/汲極、第一自我對準金屬矽化層、電容介電層、第二導電插塞與第一導電插塞。此閘極電極配置於此閘極介電層上。此第一源極/汲極與一第二源極/汲極分別位於此閘極電極下方之相對兩側。此第一自我對準金屬矽化層配置於此第一源極/汲極上。此電容介電層，配置於此第二源極/汲極上。此第二導電插塞，配置於此第一自我對準金屬矽化層上。此第一導電插塞，配置於此電容介電層上，其中此第二導電插塞的尺寸不同於此第一導電插塞的尺寸。 A one-time programmable memory cell comprising a gate dielectric layer, a gate electrode, a first source/drain, a second source/drain, a first salicide layer, a capacitive dielectric layer, a first conductive plug and a second conductive plug is disclosed. The gate electrode is disposed on the gate dielectric layer. The first source/drain and the second source/drain are disposed at opposing sides under the gate electrode, respectively. The first salicide layer is disposed on the first source/drain. The capacitive dielectric layer is disposed on the second source/drain. The first conductive plug is disposed on the first salicide layer. The second conductive plug is disposed on the capacitive dielectric layer. The size of the first conductive plug is different form the size of the second conductive plug.

備註

本部(收文號1070013245)同意該校107年2月22日清智財字第1079001082號函申請終止維護專利

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