具靜電放電保護能力之光電半導體封裝結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100116081

專利證號

I 408838

專利獲證名稱

具靜電放電保護能力之光電半導體封裝結構

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2013/09/01

技術說明

本發明揭露一種具靜電放電保護能力之光電半導體散熱封裝結構,其封裝基底係為一半導體基板/金屬層/反射層/絕緣層/電路層結構,而部份之封裝基底結構更可在反射層與絕緣層之間增設一共晶層,其中,絕緣層是藉由半導體製程方式所製作,具有薄且平坦的特性,因此,可以提高光電半導體元件封裝製程中之良率,再者,絕緣層的厚度可以有效地予以控制,可提昇封裝基底之電容特性,使抗靜電的能力大幅改善,另外,利用低熔點合金作為共晶層與半導體基板蝕刻,來達到發光二極體散熱目的,由於封裝基底的絕緣層與電路層之間設有反射層,將有助於光電半導體元件之出光效率之提昇。 This invention discloses an optoelectronic semiconductor heat dissipation package structure with electrostatic discharge protection capability, wherein the package substrate structure is a semiconductor substrate/metal layer/reflection layer/insulation layer/circuit layer structure, and part of the package substrate structure can provide an eutectic layer between the reflection layer and the insulation layer, wherein the insulation layer is made by a semiconductor process and is featured by thin and flat. Therefore, the yield of the optoelectronic semiconductor packaging process can be increased. In addition, the thickness of the insulation layer can be effectively controlled to increase the capacitive characteristics of the package substrate to greatly increase the electrostatic resistance. In addition, a low melting point alloy is used for eutectic layer and semiconductor substrate etching to achieve the purpose of LED heat dissipation.

備註

本會(收文號1120010278)同意該校112年2月17日長庚大字第1120020199號函申請終止維護專利(長庚大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

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