金屬半導體化合物形成方法Method for Forming Thin Metal Compound Film and Semiconductor Structure with Thin Metal Compound Film

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101126956

專利證號

I 492285

專利獲證名稱

金屬半導體化合物形成方法Method for Forming Thin Metal Compound Film and Semiconductor Structure with Thin Metal Compound Film

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2015/07/11

技術說明

本案發明提供一種金屬半導體化合物形成方法，包含下列步驟：提供基板，基板具有表面；於基板之表面上形成第一金屬層；進行第一微波退火步驟，使第一金屬層與基板反應生成第一多晶金屬半導體化合物層；以及進行第二微波退火步驟，使第一多晶金屬半導體化合物層形成第二多晶金屬半導體化合物層，其中第二多晶金屬半導體化合物層之晶粒尺寸大於第一多晶金屬半導體化合物層之晶粒尺寸，且第二微波退火步驟之微波輸出功率高於第一微波退火步驟之微波輸出功率。 A method for forming a metal compound film includes: providing a substrate structure; forming a first metal layer on the substrate structure; performing a first microwave annealing process to conduct a reaction between the first metal layer and the substrate structure so as to form a first polycrystalline film of a metal compound; and performing a second microwave annealing process to transform the first polycrystalline film into a second polycrystalline film of the metal compound with an enlarged grain size, where in a microwave power output used in the second microwave annealing process is higher than that used in the first microwave annealing process.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址