可調式壓控虛擬電阻架構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100133336

專利證號

I 473424

專利獲證名稱

可調式壓控虛擬電阻架構

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2015/02/11

技術說明

一般用CMOS製程實驗的主動式電阻通常會操作在三極管區，目的是為了將電阻值做到越小越好，好讓在設計開關電路上可以接近理想(理想開關無阻抗)。但是在生醫或音頻的類比前端電路上，則需要很大的電阻值來實現一個具有很低頻的極點(濾波器極點)來濾除頻帶外的雜訊。然而，不論使用一般外接的市售元件或是晶片內的制式元件，實現這種高電阻值是不符合成本效益。晶片上的被動元件是一個解決方法，但是非常耗面積。另外，將長length的MOS電晶體串連起來也可以達到高電阻，但一樣會造成一定面積上影響。本專利提出了一個具有大輸入電壓範圍和高電阻值的可調性虛擬電阻。其主要由操作在次臨界區的串連PMOS元件所組成並搭配一個自我調控電路使此虛擬電阻來克服製程變易與共模電壓的飄移。 The invention relates to a tunable voltage-controlled pseudo-resistor, and in particular to a tunable voltage-controlled pseudo-resistor, that is composed mainly of series-connected PMOS elements operated in sub-threshold regions in cooperation with a self-regulatingan auto-tuning circuit, so that the pseudo-resistor is able to overcome the variations of manufacturing process and drift of common-mode voltage, in achieving symmetric voltage-resistance characteristics, while maintaining constant resistance under high input voltage.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址