奈米結構的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098144459

專利證號

I 415969

專利獲證名稱

奈米結構的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2013/11/21

技術說明

本發明提供一種奈米結構的製作方法，包含在一奈米級探針上吸附多數第一型有機分子，並準備一具有金屬層的基材，接著移動該探針，使該等第一型有機分子與該金屬層相結合，形成一第一圖案，再將形成有該第一圖案的基材浸到一含有第二型有機分子的溶液中，讓該等第二型有機分子與該金屬層結合而形成一與該第一圖案彼此互補的第二圖案，然後將前述形成有該第一、二圖案之基材浸入一化學鍍液中，在該第一圖案上沉積第一金屬，以完成該奈米結構的製造。 A method for making a desired pattern of a metallic nanostructure of a metal includes: (a) forming the desired pattern of a self-assembled monolayer matrix of a first organic compound on a substrate, the first organic compound having a tail group selected to be active toward deposition of the metal on the self-assembled monolayer matrix; (b) forming an inert layer of a second organic compound on the substrate by contacting an assembly of the substrate and the self-assembled monolayer matrix with a solution containing the second organic compound, the second organic compound having a tail group selected to be inactive toward the deposition of the metal on the inert layer; and (c) depositing the metal on the self-assembled monolayer matrix by contacting an assembly of the substrate, the self-assembled monolayer matrix and the inert layer with a solution containing metal ions, followed by reducing the metal ions.

備註

本會(收文號1120031899)同意該校112年5月31日北科大產學字第1127900130號函申請終止維護專利(國立臺北科技大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

專利技轉組

連絡電話

02-87720360

網址