製作筆直氧化鋅微奈米柱之方法與其應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101131537

專利證號

I 458674

專利獲證名稱

製作筆直氧化鋅微奈米柱之方法與其應用

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/11/01

技術說明

就目前而言，雖然有許多方法能夠成長出導向良好與大尺寸的氧化鋅微奈米柱，不過成長氧化鋅微奈米柱的主要關鍵為種子層，然而大多數製作氧化鋅微奈米柱之種子層例如有機金屬氣相沉積 (MOCVD)但是其製作成本也非常高，此外這些製程操作上難度也比較高，因此我們使用溶膠凝膠法來製作氧化鋅種子層並且搭配水熱法來成長氧化鋅微奈米柱。 清洗基板後，利用溶液凝膠法來旋塗上一層氧化鋅種子層並預烤後，在其上鍍上一層壓制層。接著進行高溫退火處理，再移除壓制層。最後使用水熱法在此一特殊處理過後之基板成長氧化鋅微奈米柱。 Compared to conventional crystal growth process, ZnO seed layer via sol-gel method and ZnO micro/nano rods via hydrothermal growth presents a low-cost and simpler manufacturing process. After cleaning the substrate, we use sol-gel method to produce the ZnO seed layer and prebake it. Then we formed a suppressing layer on seed layer, and then, anneal the substrate with high temperature. Next, we remove the suppressing layer, and grow ZnO micro/nano rods via hydrothermal method.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址