連續在複數金屬基板上形成奈米微粒之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094132738

專利證號

I303188

專利獲證名稱

連續在複數金屬基板上形成奈米微粒之方法

專利所屬機關 (申請機關)

遠東科技大學

獲證日期

2008/11/21

技術說明

本發明係一種連續在複數金屬基板上形成奈米微粒之方法，主要係於複數金屬基板之反應面披覆一薄膜，薄膜上具有複數奈米孔，使其中一金屬基板之反應面接觸一反應液，藉由金屬基板與反應液在薄膜之奈米孔中相互作用而於其間形成奈米微粒，復使反應液依序流向次一金屬基板並逐一重複上述反應，最後除去各金屬基板之薄膜，使奈米微粒餘留於各金屬基板上。本發明所採用之技術手段係設置複數金屬基板反應模組，每一金屬基板反應模組並包括由邊壁圍成之容槽、金屬基板及披覆於金屬基板反應面之薄膜，薄膜上具有複數奈米孔；使一反應液接觸其中一金屬基板之反應面，藉由反應液與金屬基板在薄膜之奈米孔中相互作用而於其間形成奈米微粒，復使反應液依序流向次一金屬基板並逐一完成上述反應，最後除去各金屬基板之薄膜與邊壁，使奈米微粒餘留於各金屬基板上。

備註

本部(收文號1090019711)同意該校109年3月31日遠大昌研發(研究)字第1090000312號函申請終止維護專利(遠大)

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