具紫外光吸收層之薄膜電晶體Thin film Transistor with UV light Absorber Layer

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/975,611

專利證號

US 8,969,868 B2

專利獲證名稱

具紫外光吸收層之薄膜電晶體Thin film Transistor with UV light Absorber Layer

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/03/03

技術說明

【先前技術】 目前非晶態金屬氧化物薄膜電晶體主要是以非晶態銦鎵鋅氧化物(amorphous In-Ga-Zn-O)做為電晶體中的主動層搭配電極，閘極絕緣層及保護層以形成薄膜電晶體的結構。薄膜電晶體多應用於顯示器及積體電路相關產品，由於啟動電晶體需要半導體層達到元件起始電壓始能將源極電流輸出，故於電晶體一操作流程中起始電壓將影響電流輸出之效率並進一步影響應用之顯示器或積體電路效能。常見非晶態金屬氧化物半導體材料多具有可見光範圍穿透性，但位於半導體能隙中的價電帶能階常伴隨載子捕捉之能隙缺陷，其能隙缺陷會由能量（如光子）激發而產生電子電洞耦合進而影響其半導體起始電壓。 【發明摘要】 提出新式透明吸收紫外線之氧化物材料搭配非晶態金屬氧化物半導體，減少電晶體元件在光照射下操作電流、啟始電壓及次臨界擺幅變化量。同時在採用低溫沉膜技術，並可應用於現今成熟的平面顯示技術相關產品。 This patent proposes a novel transparent UV absorption material in metal oxide thin film transistors to improve the photostability and the device stability. The deposition process of transparent UV absorption layer is sputtering which is as same as commercial production methods. The electrical resistance of transparent UV absorption material can be adjusted by varying the deposition parameters or the doping content of the transparent UV absorption material. Lately, the metal oxide based thin film transistors (TFTs) exhibited the lightsensitivity and environment-sensitivity, which cause the degradation of electrical performances. By using the transparent UV absorption materials, threshold voltage shift of TFTs after light illumination is improved around 90%. Also, adapting the transparent UV absorption material as the passivation layer reduces the environment-sensitivity of TFTs. The transparent UV absorption material shows the potential to develop transparent electronic devices.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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