記憶體結構及其製備方法MEMORY STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/561,194

專利證號

US 9,219,099 B1

專利獲證名稱

記憶體結構及其製備方法MEMORY STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/12/22

技術說明

本專利提出之1T1R電阻式記憶體所採用之關鍵材料如薄膜電晶體之通道主動層與電阻式記憶體之電阻切換層皆為非晶態氧化物半導體材料，由於其新穎的透明特性、高載子遷移率、優越的低溫下沉積條件與非晶態大面積均勻之特性，被視為最有應用潛力發展系統面板。以同樣材料應用在系統面板，達成簡化製程、減少成本的目的。而且此非晶態氧化物半導體不含銦與鎵，可有效地降低地球資源消耗。技術特點可歸納如下: 1. 非晶態氧化物半導體式1T1R電阻式記憶體，達成簡化製程、減少成本的目的2. 低熱預算製程，製作過程全以低溫方式，適合發展軟性電子。3. 屬不含銦與鎵之消耗性元素之非晶態氧化物半導體，有成本較低優勢。4. 使用此非晶態氧化物半導體形成1T1R電阻式記憶體降低電流overshoot，並且達成多階操作，朝向低功耗、高容量記憶體技術一大邁進。 This innovation demonstrates the low-power and reliable multilevel operation in Al-doped zinc tin oxide (AZTO) based 1T1R resistive switching memory (RRAM) for system-on-panel (SoP) application. The Ti/AZTO/HfO2/Pt bilayer structure RRAM device exhibits robust four resistance state which driving by different gate bias of AZTO thin film transistor (TFT). Besides, the 1T1R RRAM device shows stable four state (two bits per cell) retention characteristics for over 104 s under room temperature. These results indicate the potential for next-generation advanced flat panel display application.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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